A Samsung anunciou que iniciou a produção de chips de memória flash NAND Toggle DDR 2.0 multi nível (MLC) de alta performance. Os chips de 64 gigabits são fabricados sob processo de 20 nanômetros, e podem transmitir dados a uma banda de 400 Mb/s (50 MB/s). Isso representa um aumento de 10 vezes sobre os NAND SDR usados hoje em dia, que oferecem 5 Mb/s e 40 Mb/s, e um aumento de 3 vezes sobre os 133 Mb/s (16,6 MB/s) dos NAND Toggle DDR 1.0 de 32 Gb.
A empresa coreana afirma que a densidade de armazenamento é de 64 Gb (8 GB) em um
único chip, fazendo com que a memória Toggle DDR de alto desempenho seja mais largamente usada em pendrives USB e cartões de memória, bem como smartphones e SSDs, substituindo os chips de 4 GB (32 Gb) de antiga geração, cuja fabricação a Samsung havia iniciado no ano passado.Em abril do ano passado, a SanDisk e a Toshiba anunciaram os primeiros chips flash NAND fabricados sob processo de 19 nm, também usando Toggle DDR 2.0 para aumento nas taxas de transferências. A produção em larga escala está planejada para o segundo semestre de 2011, enquanto a Intel e a Micron também possuem chips de 8 GB (64 Gb) para o mesmo período. Segundo a IHS iSupply, as vendas de memória flash NAND com 64 Gb ou mais de densidade são esperadas por contar uma fatia de 70% do total de vendas de flash NAND em 2012.
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