Na semana passada, uma joint-venture entre a Intel e a Micron, a IM Flash Technologies, anunciou um novo processo de fabricação de memória NAND de 20 nm, se elegendo como o mais avançado do mundo. Mas na indústria esses títulos não duram muito tempo: a Toshiba e a SanDisk anunciaram planos para iniciar a amostragem de chips de memória flash NAND produzidos sob processo de 19 nanômetros, antes mesmo do final deste mês.
O primeiro produto baseado no processo de 19 nm será uma célula multi-nível (MLC, ou multi-level cell), de 2 bits por célula, de 64 Gb (ou 8 GB), sendo a produção em larga escala planejada para o segundo semestre de 2011. Ao mesmo passo, a SanDisk pretende lançar em breve produtos baseados em células de 3 bits fabricados sob processo de 19 nm.
Como de praxe, as empresas afirmam que o menor processo permitirá aos fabricantes de dispositivos espremerem mais armazenamento no mesmo espaço físico. Não há nenhuma menção quanto às dimensões reais do chip, somente uma vaga noção ao citar que 16 chips poderão ser empilhados para se tornarem um módulo de 128 GB para uso em celulares, tablets e outros dispositivos.
Os chips NAND de 19 nm são equipados com o recurso Toggle DDR 2.0 para melhorar a velocidade de transferência de dados, e usam arquitetura All-Bit-Line com algoritmos de programação proprietários e gestão multi-nível de armazenamento de dados, que supostamente aumentam o desempenho e a confiabilidade.
Fonte: Hardware
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